Ag遷移致集成電路輸出異常失效分析
2015-01-20 瀏覽量：3463
1.案例背景
某功能模塊在用戶端出現(xiàn)功能失效，經(jīng)返廠檢修，發(fā)現(xiàn)該模塊上的一片IC輸出異常，經(jīng)更換IC后，功能模塊恢復(fù)正常。
2.分析方法簡述
對樣品進(jìn)行外觀觀察，未發(fā)現(xiàn)明顯異常。
經(jīng)X-RAY無損檢測，未發(fā)現(xiàn)明顯異常。
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通過C-SAM掃描發(fā)現(xiàn)了IC內(nèi)部存在分層現(xiàn)象。
圖5.NG樣品C-SAM圖片
通過IV曲線測試，發(fā)現(xiàn)引腳間存在漏電通道。
圖6.NG樣品IV曲線圖
DE-CAP后，利用SEM/EDS進(jìn)行分析，確認(rèn)了引腳間存在銀遷移問題。
表1.開封后的NG樣品內(nèi)部EDS測試結(jié)果(Wt%)
3.結(jié)論
IC內(nèi)部存在分層，由于水汽的入侵，加上集成電路各引腳之間存在電位差，導(dǎo)致了引腳間的銀遷移，從而在引腳間形成微導(dǎo)通電路，致IC輸出異常。
4.參考標(biāo)準(zhǔn)
GJB 548B-2005 微電子器件失效分析程序-方法5003。
IPC-TM-650 2.1.1-2004手動微切片法。
GB/T 17359-2012 電子探針和掃描電鏡X射線能譜定量分析通則。
作者簡介：
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