美信檢測(cè)  失效分析實(shí)驗(yàn)室

【摘要】本文通過FIB的高精度定位切割功能，配合場(chǎng)發(fā)射SEM/EDS，綜合分析ITO截面的尺寸和腐蝕產(chǎn)物元素成分，為產(chǎn)品質(zhì)量提供快捷有效的證據(jù)。

【關(guān)鍵詞】 ITO，失效分析，FIB

1. 引言

失效樣品為手機(jī)顯示屏，具體失效位置在前端IC位置，失效現(xiàn)象是ITO出現(xiàn)出現(xiàn)腐蝕導(dǎo)致顯示異常，如下圖所示，需具體分析失效的原因。

圖1.ITO表面缺陷SEM觀察圖

2. 試驗(yàn)與結(jié)果

圖2.失效位置截面觀察圖
圖3.正常位置截面觀察圖
圖4.失效位置EDS測(cè)試譜圖圖
圖5.正常位置EDS測(cè)試譜圖圖

3. 結(jié)論

根據(jù)測(cè)試結(jié)果，對(duì)比OK和正常位置的成分，推斷可能是ITO位置有Mg、K、Ga的鹽類或堿污染，在使用過程中環(huán)境中的水分子在濃度梯度作用下滲透進(jìn)ITO位置，形成導(dǎo)電溶液，在通電情況下形成電化學(xué)腐蝕造成的。

4. 參考文獻(xiàn)

GB/T 17359-2012微束分析 能譜法定量分析  

JY/T 010-1996分析型掃描電子顯微鏡方法通則

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