高端制樣分析技術:離子研磨(CP)和聚焦離子束(FIB)
對于集成電路、半導體、芯片、PCB等電子產品進行顯微分析通常需要對其表面進行研磨拋光,從而觀察其內部或截面結構情況。常見的制樣方法如下圖所示:
今天小編就針對其中的兩個高端的制樣分析技術:離子研磨(CP)與聚焦離子束(FIB),來詳細介紹。讓我們一起來看看較之普通的機械研磨,離子研磨在電子制造領域的應用優勢是怎樣的。
離子研磨與機械研磨的效果比對
從圖中我們可以看到,離子研磨比機械研磨更能獲得表面平整光滑、劃痕損傷少、界限清晰的樣品截面,呈現鏡面效果,還原樣品的真實結構和表面狀況。
由于是無應力加工,適用于研磨試料后不產生變形并可以維持結晶構造的層積形狀、結晶狀態、斷面異物的解析。
離子研磨比機械研磨的應用范圍更廣
離子研磨較之機械研磨,適用范圍更廣。其適用于大多數材料類型(除液體),例如電子材料、光伏材料、鋰離子電池、陶瓷、金屬材料、高分子材料、半導體、生物材料等。
下面,我們就來詳細介紹離子研磨(CP)和聚焦離子束(FIB)的原理及應用:
離子研磨(CP)
CP的原理
離子研磨(CP)是利用氬離子光束對材料表面進行濺射的方法,不會對樣品造成機械損害,獲得表面平滑的高質量樣品。可以實現平面和截面研磨這兩種形式:
平面研磨原理 截面研磨原理
CP的特點
CP可以一步到位地制備出鏡面樣品,針對不同的樣品的硬度,設置不同的電壓、電流、離子槍的角度、離子束窗口,控制氬離子作用的深度、強度、角度等精準參數。
CP制備完成的樣品表面光滑無損傷,同時還原了材料內部的真實結構,有利于后續使用SEM、EDS、EBSD或其它分析設備對樣品進行進一步的觀察和分析。
CP應用領域
它幾乎可以適用于各種材料,包括難以拋光的軟材料,如銅、鋁、金、焊料和聚合物等;難以切割的材料,如陶瓷和玻璃等;軟的、硬的和復合材料,損傷、污染和變形可以控制得非常小。
典型案例
印制線路板表面焊盤及處理工藝缺陷分析:PCB上焊盤基材一般都是使用銅,為了防止銅的氧化而造成可焊性差的現象。
聚焦離子束(FIB)
FIB的原理
聚焦離子束技術(Focused Ion beam,FIB)是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面,實現材料的剝離、沉積、注入、切割。隨著納米科技的發展,納米尺度制造業發展迅速,而納米加工就是納米制造業的核心部分,納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。
FIB的特點
FIB利用高強度聚焦離子束對材料進行納米加工,配合掃描電鏡(SEM)等高倍數電子顯微鏡實時觀察,成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、離子注入、切割和故障分析等。
FIB實際應用介紹
(1)在IC生產工藝中,發現微區電路蝕刻有錯誤,可利用FIB的切割,斷開原來的電路,再使用定區域噴金,搭接到其他電路上,實現電路修改,最高精度可達5nm。
(2)產品表面存在微納米級缺陷,如異物、腐蝕、氧化等問題,需觀察缺陷與基材的界面情況,利用FIB就可以準確定位切割,制備缺陷位置截面樣品,再利用SEM觀察界面情況。(3)微米級尺寸的樣品,經過表面處理形成薄膜,需要觀察薄膜的結構、與基材的結合程度,可利用FIB切割制樣,再使用SEM觀察。
(4)FIB制備透射電鏡超薄樣,利用fib精確的定位性對樣品進行減薄,可以制備出厚度100nm左右的超薄樣品。
典型案例
(1)微米級缺陷樣品截面制備
(2)PCB電路斷裂位置,利用離子成像觀察銅箔金相。
在電子產品的失效分析和結構分析中,利用CP和FIB制作樣品的剖面,能直觀準確地觀察到樣品的內部結構,幫助企業發現產品質量問題,改進設計或工藝,大大縮短產品的研發周期和研制成本,是極為有效的剖面制作技術。
為了能讓大家對于這兩個制樣技術更為了解,美信檢測將在7月5日舉辦一場“高端制樣分析技術——離子研磨(CP)與聚焦離子束(FIB)的應用介紹”技術交流會,將從技術原理到實際應用進行全方面的講解,本次技術交流會全程免費。
※歡迎您帶問題參與到會議中來,可與講師面對面交流討論哦!
高端制樣分析技術——
離子研磨(CP)與聚焦離子束(FIB)的應用介紹
課題介紹
一、離子研磨(CP)應用介紹
1.離子研磨比較機械研磨的優勢
2.離子研磨(CP)的原理詳解
3.離子研磨(CP)的應用方向
4.離子研磨(CP)的案例分析
二、聚焦離子束(FIB)應用介紹
1.聚焦離子束(FIB)的原理詳解
2.聚焦離子束(FIB)的應用范圍
3.聚焦離子束(FIB)案例剖析
4.聚焦離子束(FIB)與離子研磨(CP)的對比
會議詳情
時間:2019年7月5日 13:00——16:20
地點:美信檢測總部
(深圳市寶安區北大方正科技園A3棟一樓會議室)
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